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DMN60H080DS-7  与  BSS127 H6327  区别

型号 DMN60H080DS-7 BSS127 H6327
唯样编号 A-DMN60H080DS-7 A-BSS127 H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 500Ω@16mA,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 500mW
RdsOn(Max)@Id,Vgs 100Ω@60mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 25 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 1.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 80mA(Ta) 21mA
驱动电压 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 80mA(Ta)

暂无价格 0 当前型号
DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 80mA(Ta)

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
100: ¥0.6279
500: ¥0.5694
2,500: ¥0.5278
3,481 对比
BSS127 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS127H6327XTSA2_600V 21mA 500Ω@16mA,10V ±20V 500mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规

暂无价格 3,000 对比
DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 80mA(Ta)

暂无价格 0 对比

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